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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0781684 (2004-02-20) |
등록번호 | US-7285794 (2007-10-23) |
우선권정보 | JP-2003-051177(2003-02-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
The quantum semiconductor device comprises a first semiconductor layer 18 on a substrate 10 with a two-dimensional carrier gas formed in; a quantum dot 20 formed on the first semiconductor layer 18; a second semiconductor layer 22 formed on the first semiconductor layer 18, covering the quantum dot
What is claimed is: 1. A quantum semiconductor device comprising: a first semiconductor layer formed over a substrate and having a two-dimensional carrier gas formed in; a quantum dot formed over the first semiconductor layer; a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer,
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