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특허 상세정보

Method of fabricating a wire bond pad with Ni/Au metallization

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/28    H01L-021/02    H01L-023/48   
미국특허분류(USC) 438/582; 438/612; 438/614; 438/617; 438/648; 257/763; 257/765; 257/770
출원번호 US-0676172 (2003-10-01)
등록번호 US-7294565 (2007-11-13)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Scully, Scott, Murphy & Presser, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 15
초록

A method for sealing an exposed surface of a wire bond pad with a material that is capable of preventing a possible chemical attack during electroless deposition of Ni/Au pad metallurgy is provided. Specifically, the present invention provides a method whereby a TiN/Ti or TiN/Al cap is used as a protective coating covering exposed surfaces of a wire bond pad. The TiN/Ti or TiN/Al cap is not affected by alkaline chemistries used in forming the Ni/Au metallization, yet it provides a sufficient electrical pathway connecting the bond pads to the Ni/Au pad m...

대표
청구항

What is claimed is: 1. A method for forming a semiconductor structure comprising: providing a structure having at least one wire bond pad in contact with a metal line of an interconnect structure, said at least one wire bond pad having an exposed surface portion that is not protected by a passivation stack; forming a metallic cap on at least the exposed upper surface portion of the wire bond pad, said metallic cap comprises a TiN seed layer with an Al layer atop and is resistant to alkaline attack; performing a clean/pretreatment step on said Al layer; ...

이 특허에 인용된 특허 (15)

  1. Mei Sheng Zhou SG; Sangki Hong SG; Simon Chooi SG. Aluminum and copper bimetallic bond pad scheme for copper damascene interconnects. USP2002046376353.
  2. Patel Sunil A. ; Chia Chok J. ; Desai Kishor V.. Apparatus and method for improving ball joints in semiconductor packages. USP2001106306751.
  3. Uzoh Cyprian E.. Copper wire-bonding pad. USP2001086274935.
  4. McInerney Edward J. (Milpitas CA) Dornseif E. Ronald (Scotts Valley CA) Zetterquist Norman E. (Santa Cruz CA). Interlayer dielectric process. USP1987094690746.
  5. De Pauw, Herbert; Vanfleteren, Jan; Zhang, Suixin. Low cost electroless plating process for single chips and wafer parts and products obtained thereof. USP2003046548327.
  6. Yen Yung-Chau (San Jose CA). Metallization technique for integrated circuit structures. USP1987094696098.
  7. Lee, David M.; Francomacaro, Arthur S.; Lehtonen, Seppo J.; Charles, Jr., Harry K.. Method for electroless gold plating of conductive traces on printed circuit boards. USP2004056733823.
  8. Stuart E. Greer. Method of forming copper interconnection utilizing aluminum capping film. USP2002096451681.
  9. Barr, Alexander L.; Venkatesan, Suresh; Clegg, David B.; Cole, Rebecca G.; Adetutu, Olubunmi; Greer, Stuart E.; Anthony, Brian G.; Venkatraman, Ramnath; Braeckelmann, Gregor; Reber, Douglas M.; Crown. Method of forming semiconductor device including interconnect barrier layers. USP2004036713381.
  10. Sheng-Hsiung Chen TW; Fan Keng Yang TW. Method of improving pad metal adhesion. USP2002026350667.
  11. Canaperi Donald F. (Bridgewater CT) Jagannathan Rangarajan (Patterson NY) Krishnan Mahadevaiyer (Hopewell Junction NY). Method of replenishing electroless gold plating baths. USP1997065635253.
  12. Dobson Christopher David,GBX ; Harris Mark Graeme Martin,GBX ; Buchanan Keith Edward,GBX. Methods of forming a barrier layer. USP2001016174823.
  13. Uzoh Cyprian E.. Process for forming a copper-containing film. USP2001016180505.
  14. Patrick W. Tandy. Selectively coating bond pads. USP2002066403457.
  15. Besser Paul R. ; Cheung Robin W.. Wire bonding CU interconnects. USP2001056239494.