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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0127508 (2005-05-12) |
등록번호 | US-7297612 (2007-11-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 230 |
The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.
What is claimed is: 1. A method for forming a structure, the method comprising: forming a first strained semiconductor layer over a first substrate to define a layer structure, the layer structure comprising a porous layer defining a cleave plane; forming a first relaxed layer over the first substr
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