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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0528595 (2006-09-28) |
등록번호 | US-7297949 (2007-11-20) |
우선권정보 | JP-2000-192918(2000-06-27); JP-2000-335751(2000-11-02); JP-2000-335752(2000-11-02); JP-2000-336091(2000-11-02); JP-2000-336156(2000-11-02); JP-2000-337058(2000-11-06); JP-2000-377285(2000-12-12); JP-2001-31901(2001-02-08); JP-2001-31906(2001-02-08); JP-2001-33599(2001-02-09); JP-2001-112745(2001-04-11); JP-2001-115060(2001-04-13); JP-2001-143084(2001-05-14); JP-2001-158571(2001-05-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 23 |
An inspection apparatus and a semiconductor device manufacturing method using the same. The inspection apparatus is used for defect inspection, line width measurement, surface potential measurement or the like of a sample such as a wafer. In the inspection apparatus, a plurality of charged particles
The invention claimed is: 1. An inspection method for inspecting a sample for defects, wherein a primary electron beam is irradiated on a sample and secondary electrons emanated from the sample is guided by a secondary optical system and detected, said method comprising the steps of: obtaining an a
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