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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0535403 (2004-06-18) |
등록번호 | US-7309874 (2007-12-18) |
우선권정보 | JP-2003-178461(2003-06-23) |
국제출원번호 | PCT/JP04/008602 (2004-06-18) |
§371/§102 date | 20050518 (20050518) |
국제공개번호 | WO04/114414 (2004-12-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 8 |
An organic FET 1 comprises a substrate 2 on which a gate insulation film 41 and a functional layer 43 are formed in this order, and a source electrode 6 and a drain electrode 8 are further arranged thereon at a predetermined distance from each other, and furthermore, an organic semiconductor layer 1
What is claimed is: 1. A field-effect transistor comprising: a gate electrode formed at one side of a base substrate; a source electrode formed at the one side of the base substrate; a drain electrode formed at the one side of the base substrate; an insulation layer formed between the gate electrod
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