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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0458375 (2006-07-18) |
등록번호 | US-7345493 (2008-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 81 |
Techniques for performing wafer-level burn-in and test of semiconductor devices include a test substrate having active electronic components such as ASICs mounted to an interconnection substrate or incorporated therein, metallic spring contact elements effecting interconnections between the ASICs an
What is claimed is: 1. Method of performing burn-in on semiconductor devices, comprising: electrically connecting first terminals of a test substrate to second terminals of at least one semiconductor device (DUT) by compressing a plurality of electrically conductive spring contact elements between
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