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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0332577 (2006-01-12) |
등록번호 | US-7361529 (2008-04-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 5 |
A transistor is formed by applying modifier coatings to source and drain contacts and/or to the channel region between those contacts. The modifier coatings are selected to adjust the surface energy pattern in the source/drain/channel region such that semiconductor printing fluid is not drawn away f
The invention claimed is: 1. A method for producing a transistor, the method comprising: forming a contact pair on a base layer, the contact pair including a source contact and a drain contact defining a channel region therebetween; creating a receiving surface by forming at least one of a first mo
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