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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0646353 (2003-08-22) |
등록번호 | US-7375385 (2008-05-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 153 |
Dislocation pile-ups in compositionally graded semiconductor layers are reduced or eliminated, thereby leading to increased semiconductor device yield and manufacturability. This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantial
What is claimed is: 1. A semiconductor structure comprising: a first semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across a surface thereof, defining a threading dislocation density of the first semiconductor layer that varies across the surfac
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