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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0443895 (2006-05-30) |
등록번호 | US-7377977 (2008-05-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 9 |
A method of growing a crystal on a substrate disposed in a reactor, that provides a reactor chamber in which the substrate is disposed, includes flowing reactive gases inside the reactor chamber toward the substrate, the reactive gases comprising components that are able to bond to each other to for
What is claimed is: 1. A reactor system for growing a crystal on a substrate, the reactor system comprising: a housing comprising a first, inlet end, and a second, outlet end, the inlet end defining a reactive stream intake port and a buffer stream intake port, the outlet end defining at least one
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