[특허]TFT structure for suppressing parasitic MOSFET in active display

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/04 H01L-029/02 H01L-031/036 H01L-031/0376 H01L-031/20 H01L-031/18
출원번호	US-0875588 (2004-06-25)
등록번호	US-7391052 (2008-06-24)
우선권정보	JP-11-203630(1999-07-16); JP-2000-198616(2000-06-30)
발명자 / 주소	Kawata,Hirotaka
출원인 / 주소	Seiko Epson Corporation
대리인 / 주소	Oliff & Berridge, PLC
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 29

초록 ▼

A TFT is provided completely separated by an insulating film, in which a parasitic MOSFET is not generated at ends of a semiconductor layer, and the variation in characteristics is small. At least one portion of the ends in the gate-width direction of a gate electrode forming the TFT is disposed in a semiconductor region which forms the TFT, and the ends in the gate-length direction of the gate electrode extend toward the outside of the semiconductor region forming the TFT. With this arrangement, a uniform TFT in which a parasitic MOSFET is not generated at the ends in the gate-width direction is obtainable.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. An electro-optical device, comprising: a substrate; a scanning line provided on the substrate and extending in a scanning line direction; a data line extending in a data line direction crossing the scanning line direction; a pixel electrode; and a transistor connected to the scanning line, the data line, and the pixel electrode, the transistor including: a semiconductor region including a channel region having at least one end in the scanning line direction electrically connected to the data line; and a portion of the scanning line having a first and a second end at opposite ends of the portion in the scanning line direction and a third and a fourth end at opposite ends of the portion in the data line direction, both of the first and second ends being at least partially disposed within the semiconductor region, both of the third and the fourth ends having portions that extend outside of the semiconductor region on either side of a portion disposed within the semiconductor region, wherein the third end has a fifth portion disposed within the semiconductor region connecting the portions of the third end that extends outside of the semiconductor region; and the fourth end has a sixth portion disposed within the semiconductor region connecting the portions of the fourth end that extends outside of the semiconductor region. 2. The electro-optical device according to claim 1, the semiconductor region of the transistor including monocrystalline silicon. 3. The electro-optical device according to claim 1, the semiconductor region of the transistor including polycrystalline silicon. 4. The electro-optical device according to claim 1, the substrate being formed from an insulating material. 5. The electro-optical device according to claim 1, the substrate being a quartz substrate. 6. The electro-optical device according to claim 1, the substrate being a first substrate provided with a semiconductor layer, and further comprising: a second substrate disposed opposing a surface of the first substrate; and liquid crystals sandwiched by the first substrate and the second substrate and driven by transistor elements formed on the semiconductor layer. 7. The electro-optical device according to claim 1, the substrate being a glass substrate. 8. An electronic device, comprising: a light source that emits light; the electro-optical device according to claim 7 that receives light emitted by the light source and modulates the received light in accordance with image information; and a projection system that projects the light modulated by the electro-optical device.

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Zhang Hongyong,JPX, Active matrix display and electrooptical device.
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A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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