[특허]Fabrication methods and structures for micro-reservoir devices

MicroCHIPS, Inc.

검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
검색연산자

검색도움말
검색연산자	기능	검색시 예
()	우선순위가 가장 높은 연산자	예1) (나노 (기계 \| machine))
공백	두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색	예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실
\|	두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색	예1) (줄기세포 \| 면역) 예2) 줄기세포 \| 장영실
!	NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외	예1) (황금 !백금) 예2) !image
*	검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색	예) semi*
""	따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색	예) "Transform and Quantization"

과학기술 지식인프라 ScienceON

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

특허 상세정보

MyON담기

내보내기 페이스북 공유 트위터 공유 카카오톡 공유

Fabrication methods and structures for micro-reservoir devices

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G03F-007/20
미국특허분류(USC)	430/320; 430/322; 430/323
출원번호	US-0988667 (2004-11-15)
등록번호	US-7413846 (2008-08-19)
발명자 / 주소	Maloney,John M. Sbiaa,Zouhair Santini, Jr.,John T. Sheppard, Jr.,Norman F. Uhland,Scott A.
출원인 / 주소	MicroCHIPS, Inc.
대리인 / 주소	Sutherland Asbill & Brennan LLP
인용정보	피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 64

초록
▼

Methods are provided for making a multi-reservoir device comprising (i) patterning one or more photoresist layers on a substrate; (ii) depositing onto the substrate at least one metal layer by a sputtering process to form a plurality of reservoir caps and conductive traces; (iii) removing the photoresist layers using a liftoff process; (iv) forming a plurality of reservoirs in the substrate; (v) loading each reservoir with reservoir contents (such as a drug or sensor); and (vi) sealing each reservoir. Optionally, the reservoir cap comprises a first conductive metal layer coated with one or more protective noble metal films. To enhance the resistance of the substrate (e.g., a silicon substrate) to etching in vivo, the interior sidewalls of the reservoirs optionally can include a protective coating (e.g., gold, platinum, carbon, silicon carbide, silicon dioxide, and platinum silicide), or sidewalls comprising silicon can be doped with boron or another impurity.

대표
청구항
▼

We claim: 1. A method for making a multi-reservoir device comprising: patterning one or more photoresist layers on a substrate; depositing onto the substrate at least one metal layer by physical vapor deposition; forming a plurality of reservoir caps and conductive traces from the at least one metal layer by using the one or more photoresist layers in a liftoff process or wet chemical etching such that each reservoir cap is electrically connected to two conductive traces; removing the one or more photoresist layers using a liftoff process; forming a plurality of reservoirs in the substrate; loading each reservoir with reservoir contents; and sealing each reservoir. 2. The method of claim 1, wherein the reservoir cap comprises a first conductive metal layer coated with one or more protective noble metal film layers. 3. The method of claim 2, wherein the first conductive metal layer comprises titanium. 4. The method of claim 2, wherein the noble metal film comprises platinum. 5. The method of claim 2, wherein the thickness of the protective metal layer is less than about 20% of the thickness of the first conductive metal layer. 6. The method of claim 1, wherein the reservoirs comprise interior sidewalls and the method further includes forming at least one protective layer of material onto the sidewalls. 7. The method of claim 6, wherein the layer covering the sidewalls comprise a material selected from the group consisting of gold, platinum, diamond-like carbon, silicon carbide, silicon dioxide, and platinum silicide. 8. The method of claim 1, wherein the reservoirs comprise interior sidewalls comprising silicon doped with boron or another impurity to enhance the resistance of the silicon to etching under in vivo conditions. 9. The method of claim 1, further comprising bonding an additional substrate portion with through-substrate holes aligned with the reservoirs. 10. The method of claim 9, wherein the additional substrate portion comprises a silicon wafer or a glass wafer. 11. The method of claim 9, wherein the substrate and/or the additional substrate portion comprises silicon and the reservoirs and/or through holes are further treated with an isotropic silicon etchant to widen the hole or to smooth the surface of the hole. 12. The method of claim 9, wherein the additional substrate portion and the substrate are bonded together with an intermediate film. 13. The method of claim 12, wherein the intermediate film comprises a borosilicate glass. 14. The method of claim 9, wherein the additional substrate portion and the substrate are bonded by a process comprising anodic bonding, thermocompression bonding, or eutectic bonding. 15. The method of claim 1, comprising a bilayer liftoff process. 16. The method of claim 15, wherein the bilayer photoresist comprises an upper layer and a lower layer, wherein the lower layer is disposed on the substrate and the upper layer is disposed on the lower layer. 17. The method of claim 15, wherein the metal layer has no tags created by the sputtering and liftoff processes. 18. The method of claim 17, wherein the lower layer is laterally etched before the sputtering step, to create an overhang of the upper layer so that substantially no sputtered material is deposited on the sidewall of the lower layer. 19. The method of claim 15, wherein tags connected to the metal layer are formed by the sputtering and liftoff processes, and the tags are then removed. 20. The method of claim 19, wherein the tags are removed by a process comprising: depositing a mask layer is deposited over the metal traces and/or reservoir caps, wherein the mask layer:metal layer thickness ratio is from about 1:5 to about 1:1000; and etching away the tags to yield metal traces and/or reservoir caps. 21. The method of claim 19, wherein the tags are removed by a sonication process. 22. A microfabrication method comprising: patterning a bilayer of photoresist on a substrate, wherein the bilayer photoresist comprises an upper layer and a lower layer, the lower layer being disposed on top of the substrate and the upper layer being disposed on top of the lower layer; etching the lower layer away in select areas to form one or more bridges comprising areas of the upper layer over and spaced apart from the substrate, each said bridge having opposing first and second connection regions that are connected to the substrate; depositing onto the substrate at least one metal layer by physical vapor deposition, wherein the one or more bridges provide a shielding effect to produce a metal film or patterned metal feature with a thickness variation within a single metal layer, without etching the metal layer; forming a plurality of reservoir caps and conductive traces from the at least one metal layer by using the one or more photoresist layers in a liftoff process or wet chemical etching such that each reservoir cap is electrically connected to two conductive traces; removing the bilayer photoresist layers using a liftoff process; forming a plurality of reservoirs in the substrate; loading each reservoir with reservoir contents; and sealing each reservoir. 23. The method of claim 22, wherein the deposition method is selected from evaporation, sputtering, or ion beam deposition. 24. A method for making a multi-reservoir device comprising: depositing a layer of a nitride material on a silicon substrate; patterning the nitride layer with photoresist; etching the nitride layer using an RIE process; stripping off the photoresist; anistropically etching the silicon substrate; forming metal traces by depositing and patterning a first metal layer; forming reservoir caps by depositing and patterning a second metal layer atop portions of the first metal layer using a liftoff technique to form a structure; applying a passivation layer onto the structure; etching the passivation layer; and etching the nitride layer from under the reservoir cap. 25. The method of claim 24, further comprising anodically bonding a patterned glass wafer to the substrate. 26. The method of claim 1, wherein the reservoirs are micro-reservoirs. 27. The method of claim 1, wherein the reservoir contents comprises one or more drugs. 28. The method of claim 1, wherein the reservoir contents comprises one or more sensors or sensor components. 29. The method of claim 1, wherein the reservoir contents are hermetically scaled within the reservoirs. 30. The method of claim 1, wherein respective said conductive traces are connected to respective said reservoir caps and formed from the same one metal layer. 31. The method of claim 24, wherein said step of forming metal traces by depositing and patterning the first metal layer uses a liftoff technique. 32. The method of claim 24, wherein said step of forming metal traces by depositing and patterning the first metal layer uses a liquid etchant.

이 특허에 인용된 특허 (64)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 28

IPC 상위 출원인

내보내기

상세정보
내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	> 총 건의 자료가 검색되었습니다. > 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) > 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. > 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) > 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오 > ~ > Text(ASCII format) Excel format

과학기술 지식인프라 ScienceON

ScienceON Chatbot

연합인증

특허 상세정보

Fabrication methods and structures for micro-reservoir devices

초록
▼

대표
청구항
▼

이 특허에 인용된 특허 (64)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 28

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

ScienceON Chatbot

연합인증

특허 상세정보

Fabrication methods and structures for micro-reservoir devices

초록 ▼

대표청구항 ▼

이 특허에 인용된 특허 (64)

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 28

IPC 상위 출원인

과제정보

상세정보조회

원문조회

IPC 상세정보(version : 201201)

연구과제 성과물(0)

참여연구원의 다른 문헌(0)

처리중입니다.

잠시만 기다려주세요.

초록
▼

대표
청구항
▼