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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0475377 (2006-06-27) |
등록번호 | US-7413923 (2008-08-19) |
우선권정보 | KR-10-2005-0055589(2005-06-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 6 |
Provided is a manufacturing method of a CMOS image sensor. The method includes forming an interlayer insulating layer, a color filter layer, and a planarizing layer. A first photoresist is applied on the planarizing layer, and patterning of the first photoresist is performed using a first mask to f
I claim: 1. A method for manufacturing a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor, comprising: forming an interlayer insulating layer on a surface of a semiconductor substrate having at least one photodiode and a transistor; forming a color filter layer above the interlayer insul
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