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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0925606 (2004-08-24) |
등록번호 | US-7419748 (2008-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 9 |
A photomask and a method for forming a photomask are disclosed in which the photomask pattern is modified to bridge features that are likely to produce electrostatic discharge related defects. In one embodiment those adjacent features that are closely spaced together and have a high surface area dif
What is claimed is: 1. A method for preventing electrostatic discharge related defects in a photomask comprising: determining the surface area differential between adjacent features in a die region of a photomask pattern; and connecting the adjacent features in the die region of the photomask patte
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