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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0158453 (2005-06-22) |
등록번호 | US-7419861 (2008-09-02) |
우선권정보 | JP-11-191054(1999-07-05); JP-11-198249(1999-07-12); JP-11-277975(1999-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 52 |
To form a polycrystalline silicon film having a grain size of 1 μm or greater by means of laser annealing. A beam emitted from a laser apparatus (101) is split in two by a half mirror. The split beams are processed into linear shapes by cylindrical lenses (102) to (105), and (207), then simulta
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising: forming a semiconductor film over a substrate; emitting a laser beam from a laser oscillator; splitting the laser beam into a first laser beam and a second laser beam; and irradiating a top surface of the semicondu
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