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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0226902 (2005-09-13) |
등록번호 | US-7425460 (2008-09-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 23 |
A method for implementation of back-illuminated CMOS or CCD imagers. An oxide layer buried between silicon wafer and device silicon is provided. The oxide layer forms a passivation layer in the imaging structure. A device layer and interlayer dielectric are formed, and the silicon wafer is removed t
What is claimed is: 1. A combined silicon-on-insulator (SOI) and CMOS process to form an array of photodetectors on a wafer, comprising: providing a SOI wafer comprising an insulator layer buried between a silicon wafer and a device silicon layer; forming a device layer and interlayer dielectric to
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