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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0540262 (2006-09-29) |
등록번호 | US-7425744 (2008-09-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 20 |
Various embodiments are directed to different methods and systems relating to design and implementation of memory cells such as, for example, static random access memory (SRAM) cells. In one embodiment, a memory cell may include a first layer of conductive material and a second layer of conductive m
It is claimed: 1. A static random access memory (SRAM) cell comprising: a first layer of conductive material; the first layer including a first gate region and a first interconnect region; and a second layer of conductive material, different than the first layer; the second layer including a second
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