$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method of increasing the area of a useful layer of material transferred onto a support 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B32B-003/02
출원번호 US-0348299 (2006-02-07)
등록번호 US-7452584 (2008-11-18)
우선권정보 FR-02 09017(2002-07-17)
발명자 / 주소
  • Maleville,Christophe
출원인 / 주소
  • S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
대리인 / 주소
    Winston & Strawn LLP
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 6

초록

A composite structure in accordance with the invention includes front faces of first and second substrates that are molecularly bonded to each other, wherein the dimensions of the second substrate outline are larger than the first substrate outline. The front faces are molecularly bonded such that t

대표청구항

What is claimed is: 1. A composite structure, comprising: a first substrate having a first front face that ends at a first outline and a first chamfered face that begins at the first outline and is peripherally positioned about the first front face; and a second substrate having a second front face

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Andre-Jacques Auberton-Herve FR, Method for forming cavities in a semiconductor substrate by implanting atoms.
  2. Ito Tatsuo (Joetsu JPX) Uchiyama Atsuo (Chiisagata JPX) Fukami Masao (Nagano JPX), Method for preparing a substrate for semiconductor devices.
  3. Secco d'Aragona Frank T. ; Oliver David D. ; Wells Raymond C., Method of bonding a semiconductor wafer.
  4. Yen Yung C. (5770 Harder St. San Jose CA 95129), Method to make a SOI wafer for IC manufacturing.
  5. Iwasaki, Yukiko; Nishida, Shoji; Sakaguchi, Kiyofumi; Ukiyo, Noritaka, Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus.
  6. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.

이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. Zussy, Marc; Aspar, Bernard; Lagahe-Blanchard, Chrystelle; Moriceau, Hubert, Method for trimming a structure obtained by the assembly of two plates.
  2. Pitney, John A.; Yoshimura, Ichiro; Fei, Lu, Methods for reducing the width of the unbonded region in SOI structures.
  3. Bhusarapu, Satish; Gupta, Puneet; Huang, Yue, Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of dichlorosilane in a fluidized bed reactor.
  4. Pitney, John A.; Yoshimura, Ichiro; Fei, Lu, Semiconductor wafers with reduced roll-off and bonded and unbonded SOI structures produced from same.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로