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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0539441 (2004-06-28) |
등록번호 | US-7470414 (2008-12-30) |
우선권정보 | JP-2003-189631(2003-07-01) |
국제출원번호 | PCT/JP04/009112 (2004-06-28) |
§371/§102 date | 20050620 (20050620) |
국제공개번호 | WO05/003026 (2005-01-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 3 |
High purity phosphoric acid having an Sb content of 200 ppb or less and a sulfide ion content of 200 ppb or less as impurity contents on a 85 weight percent H3PO4 basis. The high purity phosphoric acid is useful as an etching solution for semiconductor devices having a silicon nitride film, an etchi
The invention claimed is: 1. High purity phosphoric acid having an Sb content of 200 ppb or less and a sulfide ion content of 200 ppb or less as impurity contents on a 85 weight percent H3PO4 basis. 2. The high purity phosphoric acid according to claim 1, obtained by a first step of blowing hydro
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