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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0023867 (2008-01-31) |
등록번호 | US-7470620 (2008-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 24 |
Embodiments of methods in accordance with the present invention provide three-dimensional carbon nanotube (CNT) integrated circuits comprising layers of arrays of CNT's separated by dielectric layers with conductive traces formed within the dielectric layers to electrically interconnect individual C
What is claimed is: 1. A method for fabricating transistors, comprising: forming a first dielectric layer having one or more first vias with one or more first conductive pads correspondingly disposed therein; depositing a second dielectric layer defining one or more second vias and one or more thir
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