[특허]Organic semiconductor film and organic semiconductor device

Organic semiconductor film and organic semiconductor device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/08 H01L-029/02 H01L-035/24 H01L-035/12 H01L-051/00 H01L-021/00 H01L-051/40 H01L-051/05 H01L-021/336 H01L-021/02 H01L-021/8234 H01L-021/70 H01L-021/8238 H01L-021/3205 H01L-021/4763
출원번호	US-0085460 (2005-03-21)
등록번호	US-7482623 (2009-01-27)
우선권정보	JP-2004-082912(2004-03-22)
발명자 / 주소	Nishikawa,Takao Iwasa,Yoshihiro Kobayashi,Shin ichiro Takenobu,Taishi
출원인 / 주소	Seiko Epson Corporation
대리인 / 주소	Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 17

초록 ▼

An organic semiconductor device includes a substrate, a gate electrode formed directly on the substrate , gate insulating film formed directly on the gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed directly on the gate insulating film, an organic semiconductor layer formed directly on the source electrode and the drain electrode, and a voltage control layer disposed directly between the gate insulating film and the organic semiconductor layer and directly contacting the source electrode and the drain electrode, wherein the voltage control layer gives an ambipolar characteristic to the organic semiconductor layer.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A device comprising: a source electrode; a source/drain electrode; a drain electrode; a first organic semiconductor layer directly contacting the source/drain electrode and the drain electrode; a second organic semiconductor layer directly contacting the source electrode and the source/drain electrode; and a voltage control layer consisting of CF3(CH2)9Si(OC2H5)3 disposed directly beneath the first organic semiconductor layer and directly contacting the drain electrode and the source/drain electrode, the voltage control layer giving an ambipolar characteristic to the first organic semiconductor layer. 2. An organic semiconductor device comprising: a substrate; a gate electrode formed directly on the substrate; a gate insulating film formed directly on the gate electrode; a source electrode and a drain electrode formed directly on the gate insulating film; an organic semiconductor layer formed directly on the source electrode and the drain electrode; and a voltage control layer disposed directly between the gate insulating film and the organic semiconductor layer and directly contacting the source electrode and the drain electrode, the voltage control layer giving an ambipolar characteristic to the organic semiconductor layer, wherein the voltage control layer consists of CF3(CH2)9Si(OC2H5)3. 3. The organic semiconductor device according to claim 2, wherein a thickness of the voltage control layer is three nanometers or less. 4. The organic semiconductor device according to claim 2, wherein the voltage control layer is chemically absorbed to at least one of the gate insulating film and the organic semiconductor layer. 5. The organic semiconductor device according to claim 2, wherein the organic semiconductor layer is made of at least one of an organic low-molecular substance, organic polymer, metal complex, fullerene, and carbon nanotube. 6. The organic semiconductor device according to claim 2, wherein the organic semiconductor device is an organic thin film transistor. 7. The organic semiconductor device according to claim 2, wherein the organic semiconductor device is a complementary transistor.

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Tommie W. Kelley ; Dawn V. Muyres ; Mark J. Pellerite ; Timothy D. Dunbar ; Larry D. Boardman ; Terrance P. Smith, Surface modifying layers for organic thin film transistors.
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