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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0879165 (2007-07-16) |
등록번호 | US-7494546 (2009-02-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 20 |
The present invention describes use of electron beam evaporation method for fabrication of group III-nitride thin films. The fabricated thin films found to have desirable crystalline and optical properties. These films and their properties could be used for protecting electronic devices under space
What is claimed is: 1. A method for fabricating coatings and thin films of group III metal-nitride materials using electron beam evaporation, the method comprising the steps of: positioning at least one source of at least one group III metal in a processing chamber; loading a substrate in said proc
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