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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C04B-035/573 C04B-035/565 |
미국특허분류(USC) | 501/092; 501/097.2; 501/097.4 |
출원번호 | US-0571073 (2004-07-23) |
등록번호 | US-7494949 (2009-02-24) |
우선권정보 | JP-2003-317022(2003-09-09) |
국제출원번호 | PCT/JP04/010496 (2004-07-23) |
§371/§102 date | 20060308 (20060308) |
국제공개번호 | WO05/026076 (2005-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9 |
A silicon nitride-bonded SiC refractory is provided, which includes SiC as a main phase and Si3N4 and/or Si2N2O as a secondary phase and which has a bending strength of 150 to 300 MPa and a bulk density of 2.6 to 2.9. A method for producing a silicon nitride-bonded SiC refractory is also provided, which comprises a step of mixing 30 to 70% by mass of a SiC powder of 30 to 300 μm as an aggregate, 10 to 50% by mass of a SiC powder of 0.05 to 30 μm, 10 to 30% by mass of a Si powder of 0.05 to 30 μm, and 0.1 to 3% by mass, in terms of oxide, o...
The invention claimed is: 1. A silicon nitride-bonded SiC refractory comprising: SiC as a main phase and Si3N4 and/or Si2N2O as a secondary phase, and having a bending strength of 150 to 300 MPa, a bulk density of 2.6 to 2.9, and a thermal conductivity of 20 to 80 W/(m��K); wherein said silicon nitride-bonded SiC refractory is formed from a mixture that includes SiC powder having a particle diameter of 30 to 300 μm as aggregate particles in an amount of 30 to 70 mass % constituting the main phase, SiC powder having a particle diameter of 0.05 to 30...