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특허 상세정보

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SiC refractory comprising silicon nitride bond thereto and method for production thereof

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/573    C04B-035/565   
미국특허분류(USC) 501/092; 501/097.2; 501/097.4
출원번호 US-0571073 (2004-07-23)
등록번호 US-7494949 (2009-02-24)
우선권정보 JP-2003-317022(2003-09-09)
국제출원번호 PCT/JP04/010496 (2004-07-23)
§371/§102 date 20060308 (20060308)
국제공개번호 WO05/026076 (2005-03-24)
발명자 / 주소
  • Kinoshita,Toshiharu
  • Komiyama,Tsuneo
출원인 / 주소
  • NGK Insulators, Ltd.
  • NGK Adrec Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Burr & Brown
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 9
초록
▼

A silicon nitride-bonded SiC refractory is provided, which includes SiC as a main phase and Si3N4 and/or Si2N2O as a secondary phase and which has a bending strength of 150 to 300 MPa and a bulk density of 2.6 to 2.9. A method for producing a silicon nitride-bonded SiC refractory is also provided, which comprises a step of mixing 30 to 70% by mass of a SiC powder of 30 to 300 μm as an aggregate, 10 to 50% by mass of a SiC powder of 0.05 to 30 μm, 10 to 30% by mass of a Si powder of 0.05 to 30 μm, and 0.1 to 3% by mass, in terms of oxide, o...

대표
청구항
▼

The invention claimed is: 1. A silicon nitride-bonded SiC refractory comprising: SiC as a main phase and Si3N4 and/or Si2N2O as a secondary phase, and having a bending strength of 150 to 300 MPa, a bulk density of 2.6 to 2.9, and a thermal conductivity of 20 to 80 W/(m��K); wherein said silicon nitride-bonded SiC refractory is formed from a mixture that includes SiC powder having a particle diameter of 30 to 300 μm as aggregate particles in an amount of 30 to 70 mass % constituting the main phase, SiC powder having a particle diameter of 0.05 to 30...

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Kameda Tsuneji (Tokyo JPX) Asayama Masahiro (Yokohama JPX) Suyama Shoko (Yokohama JPX), Ceramic matrix composite material.
  2. Washburn Malcolm E. (Princeton MA), High strength nitride bonded silicon carbide refractories.
  3. Kameda Tsuneji,JPX ; Asayama Masahiro,JPX ; Suyama Shoko,JPX, Method of producing ceramic matrix composite material.
  4. Kim Baek H. (6 Ireland Brook Dr. North Brunswick NJ 08902), Process for producing reaction-bonded silicon carbide refractory product.
  5. Kim Baek H. (North Brunswick NJ), Raw batch for producing reaction-bonded silicon carbide refractory product.
  6. Kim Baek H. (North Brunswick NJ), Reaction-bonded silicon carbide refractory product.
  7. Campos-Loriz Diego (Niagara Falls NY) Dierkes Martina (Hilden DEX) Dukes Gary (Winstanley MA GBX) Funk ; Jr. James E. (Templeton MA) Lamkin Michael A. (Warrington GBX) Schmitz Peter (Neuss DEX), Sialon-bonded silicon carbide refractory.
  8. Campos-Loriz Diego (Niagara Falls NY), Silicon carbide refractories having modified silicon nitride bond.
  9. Bates Carl H. (South Amboy NJ), Silicon nitride/silicon carbide composition and articles thereof.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Jorge, Eric; Marguin, Olivier; Moitrier, Lionel; Citti, Olivier, Sintered refactory material based on silicon carbide with a silicon nitride binder.
  2. Jorge, Eric; Marguin, Olivier, Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond.

IPC 상위 출원인