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특허 상세정보

SiC refractory comprising silicon nitride bond thereto and method for production thereof

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/573    C04B-035/565   
미국특허분류(USC) 501/092; 501/097.2; 501/097.4
출원번호 US-0571073 (2004-07-23)
등록번호 US-7494949 (2009-02-24)
우선권정보 JP-2003-317022(2003-09-09)
국제출원번호 PCT/JP04/010496 (2004-07-23)
§371/§102 date 20060308 (20060308)
국제공개번호 WO05/026076 (2005-03-24)
발명자 / 주소
  • Kinoshita,Toshiharu
  • Komiyama,Tsuneo
출원인 / 주소
  • NGK Insulators, Ltd.
  • NGK Adrec Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Burr & Brown
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 9
초록

A silicon nitride-bonded SiC refractory is provided, which includes SiC as a main phase and Si3N4 and/or Si2N2O as a secondary phase and which has a bending strength of 150 to 300 MPa and a bulk density of 2.6 to 2.9. A method for producing a silicon nitride-bonded SiC refractory is also provided, which comprises a step of mixing 30 to 70% by mass of a SiC powder of 30 to 300 μm as an aggregate, 10 to 50% by mass of a SiC powder of 0.05 to 30 μm, 10 to 30% by mass of a Si powder of 0.05 to 30 μm, and 0.1 to 3% by mass, in terms of oxide, o...

대표
청구항

The invention claimed is: 1. A silicon nitride-bonded SiC refractory comprising: SiC as a main phase and Si3N4 and/or Si2N2O as a secondary phase, and having a bending strength of 150 to 300 MPa, a bulk density of 2.6 to 2.9, and a thermal conductivity of 20 to 80 W/(m��K); wherein said silicon nitride-bonded SiC refractory is formed from a mixture that includes SiC powder having a particle diameter of 30 to 300 μm as aggregate particles in an amount of 30 to 70 mass % constituting the main phase, SiC powder having a particle diameter of 0.05 to 30...