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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0633697 (2006-12-04) |
등록번호 | US-7514793 (2009-07-01) |
우선권정보 | KR-10-2003-0090328(2003-12-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 10 |
Metal interconnection lines of semiconductor devices and methods of forming the same are disclosed. Improved reliability is achieved in a disclosed metal line of a semiconductor device by preventing metal layers from eroding and preventing metal lines from being destroyed due to electro-migration (E
What is claimed is: 1. A metal line of a semiconductor device, comprising: a semiconductor substrate; a glue pattern on the substrate; a metal pattern on the glue pattern; a dummy pattern on sidewalls of the metal pattern, the dummy pattern having substantially planar horizontal and vertical surfac
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