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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0283965 (2005-11-22) |
등록번호 | US-7517791 (2009-07-01) |
우선권정보 | JP-2004-347810(2004-11-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 12 |
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a contact hole with an opening having a high aspect ratio can be favorably filled without using a conventional CMP process. It is another object of the present invention to provide a method
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising: forming a porous insulating film over a single-crystal semiconductor substrate; forming a contact hole in the porous insulating film; forming a film having a water repellent over the porous insulating film and the
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