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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0219132 (2005-09-01) |
등록번호 | US-7517798 (2009-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 55 |
The present invention relates to methods for forming through-wafer interconnects in semiconductor substrates and the resulting structures. In one embodiment, a method for forming a through-wafer interconnect includes providing a substrate having a pad on a surface thereof, depositing a passivation l
What is claimed is: 1. A method for forming a through-wafer interconnect in a substrate, the method comprising: providing a substrate having a conductive pad on a surface of the substrate; depositing a passivation layer over the conductive pad and the surface of the substrate; forming a blind apert
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