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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0648569 (2007-01-03) |
등록번호 | US-7521034 (2009-07-01) |
우선권정보 | JP-2001-191226(2001-06-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
3C-SiC nanowhisker and a method of synthesizing 3C-SiC nanowhisker wherein its diameter and length can be controlled. The method is safe and low cost, and the whisker can emit visible light of various wavelengths. 3C-SiC nanowhisker is formed by depositing thin film (2) made of a metal element on Si
What is claimed is: 1. A 3C-SiC nanowhisker, characterized in that it has: single crystal structure; axis of nanowhisker being along [111] direction of 3C-SiC crystal; and a diameter of nanosize, and it is grown perpendicular to Si substrate surface, wherein a root of said nanowhisker is buried in
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