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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0040134 (2008-02-29) |
등록번호 | US-7534701 (2009-07-01) |
우선권정보 | FR-02 08602(2002-07-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 23 |
A process for preparing a semiconductor wafer with a strained layer having an elevated critical thickness. A first wafer having a strained layer of a semiconductor material on a matching layer is provided, with the semiconductor material having a first lattice parameter corresponding to a relaxed st
What is claimed is: 1. A method of preparing a semiconductor wafer with a strained layer having an elevated critical thickness, comprising: providing a first wafer having a strained layer of a semiconductor material of a first thickness grown in a first strained state on a matching layer, wherein:
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