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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0929577 (2007-10-30) |
등록번호 | US-7570510 (2009-08-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 108 |
A multi-state spin based memory cell uses a pair of ferromagnetic layers. A first ferromagnetic layer can be set to any known state k from a set of n different states by adjusting a magnetic orientation of such layer. The relationship of the first ferromagnetic layer and a second magnetic layer can
What is claimed is: 1. A spin polarized electron current device comprising: a first ferromagnetic layer having a first coercivity and a variable first magnetization state; wherein said variable first magnetization state can be set to one of n different values, where n>2; a second ferromagnetic l
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