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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0229476 (2005-09-16) |
등록번호 | US-7572741 (2009-08-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 61 |
Methods of forming oxide layers on silicon carbide layers are disclosed, including placing a silicon carbide layer in a chamber such as an oxidation furnace tube that is substantially free of metallic impurities, heating an atmosphere of the chamber to a temperature of about 500 ° C. to about 1300 °
The invention claimed is: 1. A method of forming an oxide layer on a silicon carbide layer, comprising: placing a silicon carbide layer in a chamber substantially free of metallic impurities; heating an atmosphere of the chamber to a temperature of about 500° C. to about 1300° C.; introducing atomi
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