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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0706885 (2007-02-15) |
등록번호 | US-7605472 (2009-11-10) |
우선권정보 | KR-10-2002-0087245(2002-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 17 |
Provided are an interconnection of a semiconductor device which includes a capping layer and a method for forming the interconnection. The interconnection of the semiconductor device is a copper damascene interconnection where the capping layer is formed as a dual layer of a silicon nitride layer an
What is claimed is: 1. An interconnection region of a semiconductor device comprising: an interlayer insulating film which has an opening therein in the shape of the interconnection, the interlayer insulating film being formed of a low-dielectric-constant material; a barrier metal layer which is fo
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