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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0493365 (2006-07-26) |
등록번호 | US-7626246 (2009-12-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 76 인용 특허 : 136 |
Methods of forming areas of alternative material on crystalline semiconductor substrates, and structures formed thereby. Such areas of alternative material are suitable for use as active areas in MOSFETs or other electronic or opto-electronic devices.
What is claimed is: 1. A structure comprising: a first shallow trench isolation region having a first width and defining a first opening in a substrate, the first opening having at least a first pair of sidewalls defined by the first shallow trench isolation region; a first active area comprising a
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