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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0318137 (2005-12-23) |
등록번호 | US-7629252 (2009-12-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 4 |
Methods of fabricating interconnect structures utilizing barrier material layers formed with an electroless deposition technique utilizing a coupling agent complexed with a catalytic metal and structures formed thereby. The fabrication fundamentally comprises providing a dielectric material layer ha
What is claimed is: 1. A method for fabricating an interconnect structure, comprising: providing a dielectric material layer having an opening extending into said dielectric material from a first surface thereof; bonding a coupling agent complexed with a catalytic metal to said dielectric material
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