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Kafe 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0646430 (2006-12-28) |
등록번호 | US-7638835 (2010-01-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 552 |
An NVM cell such as an NROM cell is formed using a portion of one ONO stack and an adjacent portion of a neighboring NROM stack. A gate structure is formed between (and atop) the two ONO portions, or "strips" (or "stripes"). This provides having two physically separated charge storage regions (nitri
An NVM cell such as an NROM cell is formed using a portion of one ONO stack and an adjacent portion of a neighboring NROM stack. A gate structure is formed between (and atop) the two ONO portions, or "strips" (or "stripes"). This provides having two physically separated charge storage regions (nitride "strips", or "stripes") in each memory cell.
What is claimed is: 1. Non-volatile memory (NVM) cell comprising: an ONO layer disposed on a semiconductor substrate and comprising a plurality (n) of ONO stacks; for a given memory cell, a gate formed atop a portion of a given ONO stack and an adjacent portion of another ONO stack; a first set of
What is claimed is: 1. Non-volatile memory (NVM) cell comprising: an ONO layer disposed on a semiconductor substrate and comprising a plurality (n) of ONO stacks; for a given memory cell, a gate formed atop a portion of a given ONO stack and an adjacent portion of another ONO stack; a first set of word lines disposed atop of a first set of gates; a second set of word lines disposed atop of a second set of gates; wherein the word lines of said first set have a width different from word lines of said second set. 2. The NVM cell of claim 1, further comprising: vestiges of a sacrificial poly layer on outer edges of the ONO stacks. 3. The NVM cell of claim 1, wherein: the NVM cell is an NROM cell.
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