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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0323312 (2005-12-30) |
등록번호 | US-7670919 (2010-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 12 |
An article includes a top electrode that is embedded in a solder mask. An article includes a top electrode that is on a core structure. A process of forming the top electrode includes reducing the solder mask thickness and forming the top electrode on the reduced-thickness solder mask. A process of
What is claimed is: 1. A process comprising: forming a first through-hole in a core layer, wherein the core layer includes a first side and a second side; forming a dielectric layer in the first through-hole; forming a bottom electrode on the dielectric layer and below the core layer second side; f
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