최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0335983 (2008-12-16) |
등록번호 | US-7674715 (2010-04-21) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 291 |
In one embodiment, a method for forming a tungsten material on a substrate surface is provide which includes positioning a substrate within a deposition chamber, heating the substrate to a deposition temperature, and exposing the substrate sequentially to diborane and a tungsten precursor gas to for
What is claimed is: 1. A method for forming a tungsten material on a substrate surface, comprising: heating a substrate within a deposition chamber; exposing the substrate sequentially to a first processing gas comprising a tungsten precursor and a second processing gas comprising diborane to form
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.