최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0962674 (2007-12-21) |
등록번호 | US-7678715 (2010-04-21) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 132 |
The present invention pertains to methods of depositing low wet etch rate silicon nitride films on substrates using high-density plasma chemical vapor deposition techniques at substrate temperatures below 600° C. The method additionally involves the maintenance of a relatively high ratio of nit
What is claimed is: 1. A method of depositing a silicon nitride film on a substrate disposed in a processing chamber using a HDP-CVD process comprising: flowing a process gas mixture comprising nitrogen and silicon into the processing chamber while maintaining a mean ratio of the atomic-nitrogen fl
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.