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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0151202 (2005-06-14) |
등록번호 | US-7696514 (2010-05-20) |
우선권정보 | JP-11-135062(1999-05-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 60 |
There is disclosed a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device in which a heat treatment time required for crystal growth is shortened and a process is simplified. Two catalytic element introduction regions are arranged at both sides of one active layer and crystalliz
What is claimed is: 1. An active matrix display device comprising: a first thin film transistor over a first substrate having an insulating surface, said first thin film transistor comprising at least a channel forming region, a source region, and a drain region, a first wiring electrically connect
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