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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0897792 (2007-08-30) |
등록번호 | US-7704791 (2010-05-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 31 |
According to one aspect of the invention, a method of constructing an electronic assembly is provided. A layer of metal is formed on a backside of a semiconductor wafer having integrated formed thereon. Then, a porous layer is formed on the metal layer. A barrier layer of the porous layer at the bot
What is claimed: 1. A method for forming an electronic assembly, comprising: forming a plurality of integrated circuits on a wafer; forming a layer of aluminum on a side of the wafer opposing the integrated circuits; forming a layer of porous aluminum oxide on the layer of aluminum, the layer of po
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