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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0215412 (2005-08-29) |
등록번호 | US-7719065 (2010-06-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 305 |
A ruthenium layer for a dielectric layer containing a lanthanide layer and a method of fabricating such a combination of ruthenium layer and dielectric layer produce a reliable structure for use in a variety of electronic devices. A ruthenium or a conductive ruthenium oxide layer may be formed on th
What is claimed is: 1. An electronic device comprising: a dielectric layer in an integrated circuit, the dielectric layer being a multiple layer structure including: a lanthanum oxide layer; a metal oxide layer in which the metal oxide layer is without a lanthanide; and a lanthanide oxide layer, th
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