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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0189849 (2005-07-27) |
등록번호 | US-7749910 (2010-07-26) |
우선권정보 | FR-01 08859(2001-07-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 24 |
The invention provides a method for reducing the roughness of a free surface of a semiconductor wafer that includes removing material from the free surface of the wafer to provide a treated wafer, and performing a first rapid thermal annealing on the treated wafer in a pure argon atmosphere to subst
What is claimed is: 1. A method for reducing the roughness of a free surface of a semiconductor-on-insulator wafer by rapid thermal annealing, comprising: chemically cleaning the free surface of the semiconductor-on-insulator wafer to reduce the amount of pollutants thereon; and performing a first
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