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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0858054 (2007-09-19) |
등록번호 | US-7759199 (2010-08-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 170 |
A semiconductor substrate having recesses filled with heteroepitaxial silicon-containing material with different portions having different impurity concentrations. Strained layers can fill recessed source/drain regions in a graded, bottom-up fashion. Layers can also line recess sidewalls with one co
We claim: 1. A method of selectively forming semiconductor material, comprising: providing a substrate within a chemical vapor deposition chamber, the substrate comprising insulating surfaces and single-crystal semiconductor surfaces, wherein the single-crystal semiconductor surfaces include a rece
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