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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0536047 (2003-12-18) |
등록번호 | US-7771911 (2010-08-30) |
우선권정보 | JP-2002-368931(2002-12-19); JP-2003-416583(2003-12-15) |
국제출원번호 | PCT/JP2003/016268 (2003-12-18) |
§371/§102 date | 20050520 (20050520) |
국제공개번호 | WO04/057422 (2004-07-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 11 |
A technique to acquire a photoresist composition which can reduce occurrence of defects of a resist pattern after development is provided. Further, a technique to obtain a photoresist composition having excellent storage stability characteristics as a resist solution (storage stability); and a techn
The invention claimed is: 1. A method for manufacturing a chemically amplified photoresist composition comprising passing a chemically amplified photoresist composition obtained by polymerizing monomers having different polarities containing a resin component (A), an acid-generating component (B) f
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