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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0975826 (2004-10-28) |
등록번호 | US-7772087 (2010-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 48 |
The invention relates to a method of catastrophic transfer of a thin film including implanting in a source substrate a first species of ions or gas at a given depth and a second species of ions or gas, the first species being adapted to generate defects and the second species being adapted to occupy
The invention claimed is: 1. A method of catastrophic transfer of a thin film comprising: preparing a silicon source substrate having a face surface and a silicon oxide layer overlying the face surface; implanting helium in the silicon source substrate, and then implanting hydrogen at a predetermin
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