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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0632665 (2005-06-22) |
등록번호 | US-7777252 (2010-09-06) |
우선권정보 | JP-2004-210989(2004-07-20) |
국제출원번호 | PCT/JP2005/011891 (2005-06-22) |
§371/§102 date | 20070117 (20070117) |
국제공개번호 | WO06/008925 (2006-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 69 인용 특허 : 3 |
A semiconductor device has a stacked structure in which a p-GaN layer, an SI-GaN layer, and an AlGaN layer are stacked, and has a gate electrode that is formed at a top surface side of the AlGaN layer. A band gap of the AlGaN layer is wider than a band gap of the p-GaN layer and the SI-GaN layer. Mo
The invention claimed is: 1. A transistor comprising: a first layer; a second layer stacked on a top surface of the first layer; and an electrode formed at a top surface side of the second layer; wherein the first layer comprises a first III-V nitride semiconductor, the second layer comprises a sec
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