[특허]Strained-silicon-on-insulator single-and double-gate MOSFET and method for forming the same

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Strained-silicon-on-insulator single-and double-gate MOSFET and method for forming the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/00
출원번호	UP-0460628 (2003-06-13)
등록번호	US-7812340 (2010-11-01)
발명자 / 주소	Cohen, Guy Moshe Mooney, Patricia May
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
대리인 / 주소	McGinn IP Law Group PLLC
인용정보	피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7

초록

A method of forming a semiconductor structure (and the resulting structure), includes straining a free-standing semiconductor, and fixing the strained, free-standing semiconductor to a substrate.

대표청구항 ▼

The invention claimed is: 1. A semiconductor substrate, comprising: a substrate; a free-standing structure comprising a strained silicon film supported at a single point by a pedestal; a first dielectric film formed on said substrate and on said free-standing structure; and a filling material formed between said free-standing structure and said substrate, wherein said filling material attaches said free-standing structure to the substrate. 2. The substrate of claim 1, wherein said strained silicon film includes a distorted crystal lattice cell. 3. The substrate of claim 1, further comprising: a buried doped silicon film formed under the strained silicon film. 4. The substrate of claim 1, wherein the filling material comprises an insulator material. 5. The substrate of claim 1, wherein the filling material comprises a conductive material. 6. A semiconductor structure, comprising: a substrate; a free-standing structure comprising a silicon film and a stressor film, wherein said stressor film induces strain in said silicon film; and a filling material formed between said free-standing structure and said substrate, wherein said filling material attaches firmly said silicon film to the substrate, and wherein the attachment of the silicon film to the substrate by said filling material secures the strain induced in said silicon film. 7. The structure of claim 6, wherein said stressor film is etched selectively and completely with respect to said attached silicon film, and wherein said filling material holds the silicon film having the strain induced therein, from relaxing.

이 특허에 인용된 특허 (7)

Anderson, Brent A.; Baie, Xavier; Mann, Randy W.; Nowak, Edward J.; Rankin, Jed H., High mobility transistors in SOI and method for forming.
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Theodore N. David (Mesa AZ) Lie Donald Y. C. (Pasadena CA) Smith T. C. (Scottsdale AZ) Steele John W. (Chandler AZ), Method for doping strained heterojunction semiconductor devices and structure.
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Kawakita Kenji (Hirakata JPX) Nomura Noboru (Kyoto JPX) Takemoto Toyoki (Yawata JPX), Method of manufacturing isolated semiconductor devices.
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Lochtefeld,Anthony J.; Langdo,Thomas A.; Hammond,Richard; Currie,Matthew T.; Braithwaite,Glyn; Fitzgerald,Eugene A., Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures.
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Guckel Henry (Madison WI) Burns David W. (Madison WI), Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same.
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Yeo, Yee-Chia; Chen, How-Yu; Huang, Chien-Chao; Lee, Wen-Chin; Yang, Fu-Liang; Hu, Chenming, Semiconductor-on-insulator chip incorporating strained-channel partially-depleted, fully-depleted, and multiple-gate transistors.
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Xiang, Qi, Strained-silicon semiconductor device.
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이 특허를 인용한 특허 (2)

Balakrishnan, Karthik; Cheng, Kangguo; Hashemi, Pouya; Reznicek, Alexander, Method for forming a strained semiconductor layer including replacing an etchable material formed under the strained semiconductor layer with a dielectric layer.
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Balakrishnan, Karthik; Cheng, Kangguo; Hashemi, Pouya; Reznicek, Alexander, Method of making a semiconductor device having a semiconductor material on a relaxed semiconductor including replacing a strained, selective etchable material, with a low density dielectric in a cavity.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

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저작권 관리 안내

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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