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특허 상세정보

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Vertical light emitting diode and method of making a vertical light emitting diode

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/00   
미국특허분류(USC) 438/024; 438/022; 438/029
출원번호 UP-0058059 (2008-03-28)
등록번호 US-7846753 (2011-01-31)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Venable LLP
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 4
초록
▼

A vertical gallium-nitrate-based LED and method of making a vertical gallium-nitrate-based LED using a stop layer is provided. Embodiments of the present invention use mechanical thinning and a plurality of superhard stop points to remove epitaxial layers with a high level of certainty. According one embodiment, the method of making a vertical LED includes forming a plurality of layers on a sapphire substrate, forming a plurality of stop points in the plurality of layers, removing the sapphire substrate and part of a u-GaN layer using mechanical thinning...

대표
청구항
▼

What is claimed is: 1. A method of making a vertical GaN-based LED, the method comprising: providing a sapphire substrate; sequentially forming a u-GaN layer, a highly doped stop layer, an n-type GaN layer, an active layer, and a p-type GaN layer on the sapphire substrate, wherein the u-GaN layer, a highly doped stop layer, an n-type GaN layer, an active layer, and a p-type GaN layer are a plurality of layers; forming a plurality of stop points in the plurality of layers; forming a conductive substrate on the p-type GaN layer; removing the sapphire subs...

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Wong,William S.; Kneissl,Michael A.; Teepe,Mark. Method for controlling the structure and surface qualities of a thin film and product produced thereby. USP2009037501299.
  2. Ishikawa Masayuki,JPX ; Nitta Koichi,JPX. Semiconductor light emitting diode having a capacitor. USP1999115977565.
  3. Baik, Doo Go; Oh, Bang Won; Choi, Seok Beom; Lee, Su Yeol. Vertical gallium-nitride based light emitting diode. USP2009087573076.
  4. Kub, Francis J.; Hobart, Karl D.. Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates. USP2009057535100.

IPC 상위 출원인