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Gas supply method using a gas supply system 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/448
출원번호 UP-0320197 (2009-01-21)
등록번호 US-7854962 (2011-02-14)
발명자 / 주소
  • Kasai, Shigeru
  • Tanaka, Sum
  • Saito, Tetsuya
  • Yamamoto, Norihiko
  • Yanagitani, Kenichi
출원인 / 주소
  • Tokyo Electron Limited
대리인 / 주소
    Smith, Gambrell & Russell, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 19

초록

Disclosed herein is a processing system that can supply a material gas produced inside a material reservoir tank into a processing apparatus while generating almost no pressure loss. The processing system has a processing apparatus including a gas injection injector for injecting a specific material

대표청구항

The invention claimed is: 1. A gas supply method using a gas supply system which supplies a material gas produced from metallic compound material into a processing vessel having: a gas passage extending to said processing vessel; a material reservoir tank for containing said metallic compound mater

이 특허에 인용된 특허 (19)

  1. Dae-sig Kim KR, Bubbler.
  2. Wong Manus K. ; Chew Sandy M., Corrosion resistant apparatus.
  3. Saitoh Keishi,JPX ; Arao Kozo,JPX ; Aoike Tatsuyuki,JPX, Light receiving member with non-single-crystal silicon layer containing Cr, Fe, Na, Ni and Mg.
  4. Murakami Seishi,JPX ; Hatano Tatsuo,JPX, Liquid material supply apparatus and method.
  5. Yamaguchi Tooru (Itami JPX) Tsutahara Kouichirou (Itami JPX) Suenaga Takayuki (Itami JPX), Liquid vaporizing apparatus.
  6. Kenji Matsumoto JP; Hiroshi Shinriki JP, Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus.
  7. Ganguli, Seshadri; Ku, Vincent W.; Chung, Hua; Chen, Ling, Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery.
  8. Imaizumi Toyoaki (Toda JPX) Oda Osamu (Toda JPX) Sawatari Hironobu (Toda JPX), Method of fabricating a compound semiconductor device.
  9. Kobayashi Nobuyoshi (Kawagoe JPX) Goto Hidekazu (Kokubunji JPX) Suzuki Masayuki (Kokubunji JPX) Homma Yoshio (Tokyo JPX) Yokoyama Natsuki (Mitaka JPX), Method of forming metal or metal silicide film.
  10. Westmoreland Donald L. ; Wanner Brenda D. ; Atwell David R., Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving titanium organometall.
  11. Kane James (Affoltern am Albis CH) Schweizer Hanspeter (Zurich CH), Process for depositing transparent, electrically conductive tin containing oxide coatings on a substrate.
  12. Motonaga Akira (Nagoya JPX) Kamada Kensuke (Hiroshima JPX) Kamo Jun (Hatsukaichi JPX) Hosokawa Hiroshi (Ohtake JPX), Process for preparing a membranous gas separator.
  13. Nakatani Isao (Funabashi JPX) Ozawa Kiyoshi (Tokyo JPX), Process for producing transition metal boride fibers.
  14. Awaya Nobuyoshi (Isehara JPX) Arita Yoshinobu (Isehara JPX), Process for selectively growing thin metallic film of copper or gold.
  15. Hatano Tatsuo,JPX, Process-gas supply apparatus.
  16. Gurtej S. Sandhu ; Sujit Sharan ; Anand Srinivasan, Quasi-remote plasma processing method and apparatus.
  17. Jean-Marc Girard FR; Benjamin J. Jurcik FR; Jean Friedt FR; James J. F. McAndrew, Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein.
  18. Williams Norman (Newark CA), Showerhead for uniform distribution of process gas.
  19. McMenamin Joseph C. (Oceanside CA), Vapor mass flow control system.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Nasman, Ronald; Biel, Patrick J.; Faguet, Jacques, Gas heating device for a vapor deposition system.
  2. Faguet, Jacques; Lee, Eric M., Vapor deposition system.
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