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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0350899 (2009-01-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 9 |
Circuits, methods, and apparatus that provide voltage references having a temperature independent output voltage that is less then the bandgap of silicon. The temperature coefficient and absolute voltage can be independently adjusted. One example generates two voltages, the first of which is proport
What is claimed is: 1. A bandgap voltage reference comprising:a proportional-to-absolute temperature generator comprising a first diode;a first current source to provide a proportional-to-absolute temperature current to an anode of the first diode;a second current source to provide a proportional-to
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