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[미국특허] Nano-electronic array 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/00
출원번호 US-0617198 (2009-11-12)
등록번호 US7864560 (2010-12-20)
발명자 / 주소
  • Tran, Bao
대리인 / 주소
    Tran & Associates
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 39

초록

A nano device includes an array of cells disposed in rows and columns and constructed over a substrate, and an optical circuit disposed over the substrate, wherein the optical circuit is formed by nano elements in a self-assembled process.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A nano device, comprising:an army of cells disposed in rows and columns and constructed over a substrate, andan optical circuit disposed over the substrate, wherein the optical circuit is formed by nano elements in a self-assembled process, wherein the nano elements include op

이 특허에 인용된 특허 (39) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Bacrania, Kantilal; Chen, Hsin-Shu; Sung, Eric C.; Song, Bang-Sup; Hakkarainen, J. Mikko; Allen, Brian L.; Sanchez, Mario, Analog to digital converter using subranging and interpolation.
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  2. Cortiula Jean-Alain,FRX, CCD register read amplifier.
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  3. Craig M. Smith ; James E. Adams, Jr., CFA correction for CFA images captured at partial resolution.
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  4. Tanuma Jiro (Tokyo) Ishimizu Hideaki (Tokyo) Uchida Takao (Tokyo JPX), Card type integrated circuit and respective 8/16-bit card connector.
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  5. Ross Randall R. (Murray Hill NJ) Bjornard Eric (Concord CA) Strand David (West Bloomfield MI), Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite.
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  6. Penneau, Jean-Fran.cedilla.ois; Capitaine, Fran.cedilla.ois; Herlem, Guillaume, Double layer high power capacitor comprising a liquid organic electrolyte.
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  7. Heath James Richard ; Collier Charles Patrick ; Mattersteig Gunter,DEX ; Raymo Francisco M. ; Stoddart James Fraser ; Wong Eric, Electrically addressable volatile non-volatile molecular-based switching devices.
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  8. Michael James Liberatore ; Leszek Hozer ; Attiganal Narayanaswamy Sreeram ; Rajan Kumar ; Chetna Bindra ; Zhonghui Hugh Fan, Enzymatic fuel cell.
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  9. Ito,Tatsuya; Okumura,Tadashi; Takahashi,Tsuyoshi; Ishikawa,Masatoshi; Nishimura,Yuji; Yuki,Tetsuo, Falling sensor and the information processing device making use of it.
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  10. Hasegawa, Kazumasa; Natori, Eiji; Miyazawa, Hiromu; Karasawa, Junichi, Ferroelectric memory device.
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  11. Owen William H. (Los Altos Hills CA) Caywood John (Sunnyvale CA) Drori Joseph (San Jose CA) Jaffe James (Santa Clara CA) Nojima Isao (Sunnyvale CA) Sung Jeffrey (Saratoga CA) Wang Ping (Saratoga CA), Field-programmable redundancy apparatus for memory arrays.
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  12. Paterson James L. (Richardson TX), Floating-gate transistor with a non-linear intergate dielectric.
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  13. Henley, Francois J.; Cheung, Nathan W., Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process.
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  14. Niki, Katsumi; Inokuchi, Hiroo; Yagi, Tatsuhiko; Nakamura, Asao, Heme protein immobilized electrode and its use.
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  15. Bocian, David F.; Kuhr, Werner G.; Lindsey, Jonathan, High density non-volatile memory device.
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  16. Keefer Lyndon (Phoenix AZ), High power RF precision attenuator.
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  17. Drori Joseph ; Lin Allan Ming-Lun, High-resolution, high-precision solid-state potentiometer.
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  18. Senn Patrice (Grenoble FRX) Abrial Andr (Le Versoud FRX), High-speed half-flash type analog/digital converter.
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  19. Hirama, Masahide; Noguchi, Katsunori; Yoshihara, Satoshi; Yoshihiro, Nishio, Image sensing array with sweep means for sweeping charges in non selected registers in the array.
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  20. Moyal Miki Z. (Austin TX), Improved two-stage analog-to-digital converter.
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  21. Kishi, Tatsuya; Takahashi, Shigeki; Nakajima, Kentaro; Amano, Minoru; Sagoi, Masayuki; Saito, Yoshiaki, Magnetoresistance effect device, magnetic memory apparatus, personal digital assistance, and magnetic reproducing head, and magnetic information.
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  22. Stasiak, James, Memory device having a semiconducting polymer film.
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  23. Kadono,Koji; Ata,Masafumi, Memory element and memory device.
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  24. Von Basse Paul-Werner,DEX ; Thewes Roland,DEX ; Schmitt-Lansiedel Doris,DEX ; Bollu Michael,DEX, Method for programming a ROM cell arrangement.
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  25. Kuekes Philip J. ; Williams R. Stanley ; Heath James R., Molecular wire crossbar memory.
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  26. Hsu, Sheng Teng; Baba, Tomoya; Ohnishi, Tetsuya, Nano-meter memory device and method of making the same.
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  27. Hsu, Sheng Teng; Zhuang, Wei-Wei; Pan, Wei; Zhang, Fengyan, Nano-scale resistance cross-point memory array.
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  28. Peterson William M. (Scottsdale AZ) Hume Christopher N. (Mesa AZ) Leivian Robert H. (Chandler AZ), Neuram: neural network with ram.
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  29. Drori Joseph (San Jose CA) Jennings Check William S. (Orangevale CA) Owen ; III William H. (Los Altos Hills CA), Nonvolatile nonlinear programmable electronic potentiometer.
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  30. Drori Joseph (San Jose CA) Check William S. J. (San Jose CA), Nonvolatile reprogrammable electronic potentiometer.
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  31. Gratzel Michael (chemin du Marquisat 7a CH-1050 Sts. Sulpice CHX) Liska Paul (chemin des Bossons 47 CH1018 Lausanne CHX), Photo-electrochemical cell and process of making same.
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  32. Pontoglio Enrico (Brescia ITX) Parodi Sandro (Nuvolento ITX) Caretti Giancarlo (Brescia ITX), Process for the continuous production of phtalodinitrile.
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  33. Jones, Robert E.; Barron, Carole C.; Luckowski, Eric D.; Melnick, Bradley M., Self-aligned magnetic clad write line and its method of formation.
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  34. Li, Chou H, Semiconductor integrated circuit device.
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  35. Ishikawa Masayuki,JPX ; Nitta Koichi,JPX, Semiconductor light emitting diode having a capacitor.
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  36. Trimberger Stephen M. (San Jose CA), Shadow DRAM for programmable logic devices.
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  37. Heath James R. ; Leff Daniel V. ; Markovich Gil,ILX, Single-electron solid state electronic device.
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  38. Green, David E.; Close, Jr., Leland G.; Van Hyning, Dirk L., Textiles having a wash-durable silver-ion based antimicrobial topical treatment.
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  39. Pryor Roger W. (Bloomfield Hills MI) Formigoni Napoleon P. (Birmingham MI) Ovshinsky Stanford R. (Bloomfield Hills MI), Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same.
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이 특허를 인용한 특허 (11) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Kettlewell, Graeme; Baker, Phillip Martin, Absorbent materials.
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  2. Beaulac, Sébastien, Apparatus and method for controlling a clothes dryer.
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  3. Golke, Keith W.; Nelson, David K., Carbon nanotube memory cell with enhanced current control.
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  4. Nelson, David K.; Golke, Keith W., Memory cell with redundant carbon nanotube.
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  5. Yohannes, Daniel; Kirichenko, Alexander F.; Vivalda, John; Hunt, Richard, Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit.
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  6. Liu, Peng; Li, Qun-Qing; Jiang, Kai-Li; Fan, Shou-Shan, Method for making phase change memory.
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  7. Kelly, Terence P.; Davis, Alan L.; Pickett, Matthew D., Shiftable memory.
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  8. Karp, Alan H, Shiftable memory defragmentation.
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  9. Golab, Wojciech; Pickett, Matthew D.; Karp, Alan H., Shiftable memory supporting atomic operation.
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  10. Graefe, Goetz; Kelly, Terence P.; Kuno, Harumi; Tarjan, Robert E., Shiftable memory supporting in-memory data structures.
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  11. Perner, Frederick A.; Pickett, Matthew D., Word shift static random access memory (WS-SRAM).
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