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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0396873 (2009-03-03) |
등록번호 | US7867809 (2010-12-28) |
우선권정보 | TW-2008-7135527 A(2008-09-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A one-step diffusion method for fabricating a differential doped solar cell is described. The one-step diffusion method includes the following step. First, a substrate is provided. A doping control layer is formed on the substrate. The doping control layer includes a plurality of openings therein. A
What is claimed is: 1. A one-step diffusion method for fabricating a differential doped solar cell, comprising:providing a substrate;forming a 5-100 nm doping control layer on the substrate, wherein the doping control layer is made of silicon nitride or silicon oxide and comprises a plurality of ope
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